cl
Погода -9° Киев
EUR 27.56 USD 25.89
 
Наука и техника | Dailytechinfo

Тайваньские инженеры победили главный недостаток флэш-памяти


Представители тайваньской компании Macronix объявили о том, что их инженеры нашли решение проблемы, связанной с главным недостатком флэш-памяти, с относительно малым и ограниченным количеством процедур стирания-записи информации. Каждый цикл стирания и записи ухудшает изоляцию каждой ячейки памяти, и после определенного количества таких циклов ячейка памяти перестает быть способной хранить информацию. "Распространенные микросхемы флэш-памяти могут быть стерты и записаны заново приблизительно 10 тысяч раз, более качественные и дорогие микросхемы имеют ресурс до 1 миллиона циклов" - пишут журналисты издательства IEEE Spectrum. - "Инженеры Macronix имеют решение, которое может вдохнуть новую жизнь в флэш-память, они предлагают метод самовосстановления NAND флэш-памяти, который позволит ей пережить более чем 100 миллионов циклов записи".

 
Читать все новости в "Актуально"