cl
Погода -8° Киев
USD 26.02 EUR 27.91
Главная / Hi-Tech / IT / Samsung готова к массовому производству 128-Гбит флэш-памяти с трёхбитовой ячейкой

Samsung готова к массовому производству 128-Гбит флэш-памяти с трёхбитовой ячейкой


Южнокорейская компания Samsung Electronics считает, что эра потребительских SSD ёмкостью свыше 500 Гб уже не за горами. Помочь в распространении твёрдотельных накопителей большой ёмкости обещает начало массового производства флэш-памяти с возможностью записи трёх бит в ячейку — NAND TLC. К массовому выпуску подобных микросхем ёмкостью 128 Гбит компания намерена приступить уже в текущем месяце. Согласно официальному пресс-релизу Samsung, память NAND TLC будет выпускаться с применением техпроцесса класса 10 нм. К сожалению, в Samsung перестали указывать точную цифру техпроцесса, но он наверняка ближе к верхней отметке (20 нм), чем к нижней (10 нм). К слову, компания Micron не так давно приступила к выпуску 20-нм NAND TLC, так что Samsung не слишком от неё отстала. Новая трёхбитовая память Samsung будет использоваться для встраиваемого применения, для выпуска флэш-карточек и для производства твёрдотельных накопителей.
Оставьте комментарий к этой статье. Ваше мнение нам очень важно