cl
Погода -3° Киев
USD 26.12 EUR 27.96
 
IT | Overclockers.ru

Учёные из США предложили многослойный дизайн транзистора


Шестинанометровый техпроцесс является критическим для кремния; дальнейшая его миниатюризация считается невозможной. Достигнут он будет, судя по прогрессу в литографии, к 2020 году, и для дальнейшего уменьшения размера транзистора уже сейчас ведётся поиск его более перспективной альтернативы. Учёные из центра наноэлектрики при университете Пердью предложили свой вариант материала, который в будущем будет способен заменить кремний – сообщает сайт TG Daily. Кроме того, ими была представлена новая технология расположения элементов транзистора. Согласно их задумке – материалом для транзисторов будущего послужат двумерные кристаллы дисульфида молибденита, относящегося к новому классу полупроводников – ди-халогенидам металлов. Двумерными кристаллы названы от того, что их толщина составляет всего 0,7 нанометра, или 3 атома. Транзистор будет собираться из нескольких слоёв данного материала, как показано на иллюстрации.

 
05.12.2016 23:48 joinfo.ua
05.12.2016 23:29 joinfo.ua
05.12.2016 23:10 joinfo.ua
05.12.2016 22:55 joinfo.ua
05.12.2016 22:55 joinfo.ua
05.12.2016 22:43 joinfo.ua
05.12.2016 22:41 joinfo.ua
05.12.2016 22:37 joinfo.ua
05.12.2016 22:32 joinfo.ua
05.12.2016 22:28 joinfo.ua
Читать все новости в "Последнее"
Читать все новости в "Актуально"