cl
Погода Киев
EUR 27.32 USD 25.87
Главная / Hi-Tech / IT / Samsung начала производство микросхем памяти LPDDR3 по технологиям 20-нм класса

Samsung начала производство микросхем памяти LPDDR3 по технологиям 20-нм класса


Компания Samsung объявила о начале массового производства микросхем оперативной памяти LPDDR3 плотностью 4 Гбит с применением литографических технологий 20-нм класса. По словам составителей пресс-релиза, новая память по скоростным характеристикам более чем в два раза превосходит микросхемы LPDDR2 – заявленная скорость передачи данных равна 2133 мегабита в секунду (800 Мбит/с у LPDDR2). Данное преимущество Samsung предлагает использовать, в частности, для воспроизведения видео в формате высокой чёткости на мобильных устройствах. За счёт перехода на новую технологию производства Samsung удалось на 30% увеличить быстродействие и на 20% снизить энергопотребление микросхем LPDDR3 в сравнении с памятью аналогичного стандарта, изготавливаемой по технологиям 30-нм класса. Samsung будет объединять по четыре микросхемы в корпусе толщиной всего 0.8 миллиметра, получая модули памяти ёмкостью по 2 Гбайт.
Оставьте комментарий к этой статье. Ваше мнение нам очень важно