cl
Погода -3° Киев
EUR 27.96 USD 26.12
 
IT | Overclockers.ru

Флэш-память: скоро в 3D


В рамках существующих технологий и инструментов для выпуска полупроводников дальнейшее наращивание площади кристалла становится невыгодным. Это касается любых разработок, которые через совсем короткое время надо будет наращивать не вширь, а ввысь. Делать это можно по-разному, например, начать с вертикальных транзисторов. Затем прилепить к одному кристаллу другой. Сначала это можно сделать грубо. Просто вырезаем пару-тройку кристаллов с подложкой, на которой они находятся, и дальше монтируем их на одном общем основании или лепим их в столбик с использованием проводной обвязки или соединяем металлизированными каналами. Следующим шагом должны стать тонкие металлизированные соединения TSVs, предназначенные для стекового (в основном) соединения кристаллов с минимальным участием подложек, которые удаляются из-под кристалла.

 
Читать все новости в "Актуально"