cl
Погода -8° Киев
EUR 27.56 USD 25.89
 
IT | Overclockers.ru

Кристалл eDRAM компания Intel выпускает на основе массива FinFET транзисторов


С 11 по 13 июня в японском Киото прошёл ежегодный симпозиум разработчиков полупроводников — VLSI Symposium. Как и было обещано, один из докладов компания Intel посвятила рассказу о встроенной в процессор Haswell памяти eDRAM. Мы уже знаем, что модуль eDRAM компания Intel будут выпускать самостоятельно. Как стало известно из доклада компании, для его выпуска будет использоваться тот же самый 22-нм HKMG-процесс, что и для производства процессоров (отличия будут в материалах для изолятора и затворов). Многослойная конструкция кристаллов с девятью металлическими слоями даёт возможность в одном из слоёв организовать ёмкости для удержания заряда — это слой изолятора, окружённый двумя слоями металлической фольги. Управляющий ячейкой памяти eDRAM транзистор является таким же по конструкции FinFET-транзистором, как и активный элемент в составе логики Haswell. Компании Intel не пришлось ничего изобретать — решение вышло элегантное и по-своему простое.

 
Читать все новости в "Актуально"