cl
Погода 18° Киев
EUR 29 USD 26.63
Главная / Наука и техника / Создан нанопроводниковый 4D-транзистор, имеющий форму новогодней елки

Создан нанопроводниковый 4D-транзистор, имеющий форму новогодней елки


Около полутора лет назад компания Intel громко анонсировала новый трехмерный транзистор, получивший название Tri-Gate. И стоило только объявить о грядущем переходе от 2D к 3D, многие начали задумываться, каким может быть следующий шаг в этом направлении? Естественно, в голову приходит нечто экзотическое, что можно назвать 4D-транзистором, и именно так охарактеризовала свое детище исследовательская группа из Гарвардского университета и университета Пурду. Этот транзистор, структура которого состоит из нанопроводников из арсенида галлия-индия, показывает превосходные скоростные и частотные характеристики, а особенности его структуры позволяют с полной уверенностью назвать его 4D-транзистором."Структура нашего транзистора - это то, к чему обязательно придет вся полупроводниковая и радиоэлектронная промышленность" - рассказывает Пеид "Питер" Йе (Peide "Peter" Ye), профессор информатики и электротехники из университета Пурду.