cl
Погода 23° Киев
EUR 29.92 USD 25.49
Главная / Hi-Tech / IT / Учёные из США предложили многослойный дизайн транзистора

Учёные из США предложили многослойный дизайн транзистора


Шестинанометровый техпроцесс является критическим для кремния; дальнейшая его миниатюризация считается невозможной. Достигнут он будет, судя по прогрессу в литографии, к 2020 году, и для дальнейшего уменьшения размера транзистора уже сейчас ведётся поиск его более перспективной альтернативы. Учёные из центра наноэлектрики при университете Пердью предложили свой вариант материала, который в будущем будет способен заменить кремний – сообщает сайт TG Daily. Кроме того, ими была представлена новая технология расположения элементов транзистора. Согласно их задумке – материалом для транзисторов будущего послужат двумерные кристаллы дисульфида молибденита, относящегося к новому классу полупроводников – ди-халогенидам металлов. Двумерными кристаллы названы от того, что их толщина составляет всего 0,7 нанометра, или 3 атома. Транзистор будет собираться из нескольких слоёв данного материала, как показано на иллюстрации.