cl
Погода 20° Киев
EUR 29.03 USD 26.56
Главная / Hi-Tech / IT / Samsung освоила 45-нм технологию eFlash

Samsung освоила 45-нм технологию eFlash


В минувший четверг компания Samsung отчиталась об успехах в освоении 45-нм технологического процесса eFlash (Embedded Flash). Как сообщается в официальном пресс-релизе, технология была успешно использована для создания интегральной схемы, рассчитанной на применение в смарт-картах, что говорит о возможности развёртывания производства в промышленных масштабах. Интегральные схемы, которые Samsung может выпускать по новой технологии, обеспечивают, как заявлено, наилучшую надёжность и выносливость среди прочих подобных решений. Так, ячейки флэш-памяти изделий южнокорейского производителя выдерживают до одного миллиона циклов перезаписи, в то время как конкуренты предлагают лишь вдвое меньший ресурс. Помимо этого, за счёт улучшения структуры ячеек Samsung удалось на 50% уменьшить время случайного доступа при чтении из памяти и на 25% повысить энергетическую эффективность микросхемы.